Hovedfaktorer som påvirker levetiden til silisiumkarbidstenger

Hovedfaktorer som påvirker levetiden til silisiumkarbidstenger 11. desember 2013
① Driftstemperatur
Jo høyere temperatur på silisiumkarbidstaven, jo kortere levetid. Spesielt etter at ovnstemperaturen overstiger 1600 grader, akselererer oksidasjonshastigheten og levetiden til silisiumkarbidstaven reduseres. Prøv derfor å ikke la overflatetemperaturen til silisiumkarbidstaven være for høy, noe som er nødvendig for å redusere forskjellen mellom ovnstemperaturen og temperaturen på silisiumkarbidstaven.
② Overflatebelastning
Overflatelasttetthet refererer til den tillatte nominelle effekten per overflateenhet til oppvarmingsdelen av en stang.
Overflatelasttetthet=nominell effekt (W)/overflate på varmedelen (cm2)
Praksis har vist at høy belastningstetthet gir stor forskjell mellom overflatetemperaturen til varmelegemet og temperaturen i ovnen. Hvis belastningstettheten er høy, er overflatetemperaturen til stangkroppen høy, motstandsveksten er rask, og levetiden til SIC-stangen er kort. Derfor er overflatetemperaturens belastningstetthet, ovnsatmosfære og temperaturen til silisiumkarbidstaven direkte proporsjonal med aldringshastigheten til SIC-staven, og omvendt proporsjonal med SIC-stavens levetid.
Forholdet mellom ovnstemperatur og overflatelasttetthet
Bruksområdekurven vist i diagrammet er den kritiske linjen for overflatelasttetthet. I faktiske situasjoner må du opprettholde en overflatebelastning på 1/2-1/3 av den kritiske linjen.
③ Ovn atmosfære
Under sintring skjer det reaksjoner mellom silisiumkarbidstaver og mange kjemiske stoffer som fordamper fra det sintrede materialet. Hvis de kommer i kontakt med gasser som vann, hydrogen, nitrogen, svovel, halogener og smeltet aluminium, alkali, salt, smeltet metall eller metalloksider, oppstår det også reaksjoner, korrosjon eller oksidasjonsfenomener.
④ Driftsmodus for ovn
Silisiumkarbidstenger har lengre levetid i kontinuerlige ovner sammenlignet med intermitterende ovner. Under bruk oksiderer overflaten av silisiumkarbidstaven for å danne en silisiumdioksidfilm. Langvarig bruk øker silisiumdioksidfilmen og motstandsverdien til silisiumkarbidstaven. Silikafilmen gjennomgår unormal ekspansjon og sammentrekning nær det kritiske punktet for krystallisering (270 grader). På grunn av konstante temperatursvingninger under periodisk bruk av ovnen, brytes silisiumdioksidfilmen gjentatte ganger for å akselerere oksidasjonen. Derfor, når temperaturen på strømbruddsovnen synker til romtemperatur, øker motstanden ofte kraftig.
⑤ Koblingsmetode
Hvis motstandsverdiene til silisiumkarbidstenger er forskjellige, er belastningen av silisiumkarbidstenger med høy motstand mer konsentrert når de kobles i serie, noe som lett kan føre til en rask økning i motstanden til en viss silisiumkarbidstav og kortere levetid. Silisiumkarbidstenger brukes vanligvis i kombinasjon med serie- og parallellkabling. Det anbefales å bruke to seriekoblinger som en gruppe og deretter flere parallellkoblinger. Spesielt når temperaturen inne i ovnen overstiger 1350 grader, må den kobles parallelt. Det anbefales å bruke åpen deltakabling for trefasekabling.